第139章 毕业了（下）（1/2）

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现在已经是大四了，该去实习的去实习，该考研的考研，谢重要考研，也加入了复习大军，不过他没有去图书馆。

大部分时间不是在宿舍、就是在公司。

公司6幢大楼已经交付了，三期工程还有三幢，已经破土动工了，交期为2007年6月。另外，那一千亩土地的已经施工了，整个园区的整体的规划早已经做出来了。

第一期标准厂房占地199亩，五楼层高，经过一年多的建设，全部完成，防尘。防静电都达到五级标准。

比简易厂房要好得多，并且，整个字符科技的园区，做了8级防地震处理！

简易厂房的装修材料可以重复利用，在这一年里多的时间里，孙教授带着他的团队。成功的完成90纳米芯片的流片，成功的达到了量产芯片的水准。

但45纳米芯片孙教授的团队试过几次了，还是不行，无法达到量产。

谢重原本以为，只要将90纳米再次曝光，就可得到45纳米芯片，45 纳米芯片是得到了。

在制作光刻掩膜版（Mask Reticle）光刻掩膜版，是微纳加工技术常用的光刻工艺所使用的图形母版。由不透明的遮光薄膜在透明基板上形成掩膜图形结构，再通过曝光过程将图形信息转移到产品基片上。

这步没 问题，这步的作用是芯片设计师将CPU的功能、结构设计图绘制完毕之后，就可将这张包含了CPU功能模块、电路系统等物理结构的“地图”绘制在“印刷母板”上，供批量生产了。这一步骤就是制作光刻掩膜版。

然后就是氧化！

光刻机将紫外（或极紫外）光通过镜片，照在前面准备好的集成电路掩膜版上，将设计师绘制好的“电路图”曝光（光刻）在晶圆上，这步也攻克了。

先溶解光刻胶，光刻过程中曝光在紫外线下的光刻胶被溶解掉，清除后留下的图案和掩模上的一致再进行蚀刻

孙教授和他的团队，真是很厉害。

然后是蚀刻，照射到的光阻需要用显影液祛除，这时芯片制作过程就完成了一半。

接下来是离子注入：在真空中，用经过加速的原子、离子照射（注入）固体材料，使被注入的区域形成特殊的注入层，改变区域的硅的导电性

孙教授的团队就卡在这一步，照射（注入）固体材料的配比，45纳米与90纳米完全不一样，

他们尝试过很多次，每次到这里就会出问题，最后流片出来的，达不到设计要求。

至于后面的电镀，抛光，晶圆测试，内核级别，使用参考电路图案和每一块芯片进行对比，晶圆切片，封装及再次测试都没有问题。

流90纳米芯片已经有经验了。

问：从沙子到芯片，一总需要步。